Sự khác biệt chính giữa tấm silicon đơn tinh thể loại N và loại P cho quang điện mặt trời
Sự khác biệt chính giữa tấm silicon đơn tinh thể loại N và loại P cho quang điện mặt trời
Tấm silicon đơn tinh thể có tính chất vật lý của bán kim loại, có độ dẫn điện yếu và độ dẫn điện của chúng tăng khi nhiệt độ tăng. Chúng cũng có đặc tính bán dẫn đáng kể. Bằng cách pha tạp các tấm silicon đơn tinh thể siêu tinh khiết với một lượng nhỏ boron, độ dẫn điện có thể được tăng lên để tạo thành chất bán dẫn silicon loại P. Tương tự, pha tạp một lượng nhỏ phốt pho hoặc asen cũng có thể làm tăng độ dẫn điện, tạo thành chất bán dẫn silicon loại N. Vì vậy, sự khác biệt giữa tấm silicon loại P và loại N là gì?
Sự khác biệt chính giữa tấm silicon đơn tinh thể loại P và loại N như sau:
Dopant: Trong silicon đơn tinh thể, pha tạp phốt pho tạo thành loại N và pha tạp boron tạo thành loại P.
Độ dẫn điện: Loại N dẫn điện và loại P dẫn điện lỗ trống.
Hiệu suất: Càng nhiều phốt pho được pha tạp thành loại N thì càng có nhiều electron tự do, độ dẫn điện càng mạnh và điện trở suất càng thấp. Càng nhiều boron được pha tạp vào loại P thì càng tạo ra nhiều lỗ trống bằng cách thay thế silicon, độ dẫn điện càng mạnh và điện trở suất càng thấp.
Hiện nay, tấm silicon loại P là sản phẩm chủ đạo trong ngành quang điện. Tấm silicon loại P được sản xuất đơn giản và có chi phí thấp. Tấm silicon loại N thường có tuổi thọ hạt tải điện thiểu số dài hơn và hiệu suất của pin mặt trời có thể cao hơn nhưng quá trình này phức tạp hơn. Tấm silicon loại N được pha tạp phốt pho, có khả năng hòa tan kém với silicon. Trong quá trình kéo thanh, phốt pho được phân bố không đều. Tấm silicon loại P được pha tạp boron, có hệ số phân tách tương tự như silicon và độ phân tán đồng đều rất dễ kiểm soát.